Динамические БИС ОЗУ

Основным элементом динамических БИС ОЗУ является интегральный МОП- транзистор, стоковая область которого образует с подложной емкость, выполняющую функцию запоминающего конденсатора С₃ (рис. 153, а). К данному типу ИМС относятся БИС ОЗУ 565 серии. На рис. 153, б представлено УГО БИС ОЗУ К565РУ6 с организацией 16КХ1.

 а)                                                                                 б)

Рис. 153

В структуре данной БИС на адресном входе имеется регистр адреса, который работает в двухтактном режиме. При подачи сигнала  в регистр адреса записывается адрес строки А₀...А₇, (выбирается строка), затем по сигналу  в тот же регистр записывается другой байт (А₈...А₁₅), адрес столбца. После этого в режиме считывания появляется информация с выбранного элемента памяти.

Динамические БИС ОЗУ 565 серии работают в следующих режимах: запись, считывание, считывание-модификация-запись, страничная запись, страничное считывание, регенерация. Временные диаграммы работы БИС ОЗУ 565 серии в режимах записи и считывания представлены на рис. 154.

Рис. 154

В режиме считывания-модификации-записи происходит считывание информации, ее модификация (изменение) в случае необходимости с последующей записью данных по тому же адресу. Этот режим используется для коррекции ошибок.

В режиме страничной записи (считывания) происходит выбор одной строки сигналом (), и затем сигналами осуществляется перебор всех столбцов.

В режиме регенерации за один цикл происходит восстановление данных всех элементов памяти, расположенных в пределах указанной строки. Восстановление всей информации осуществляется при периодическом переборе всех строк за время, не превышающее период регенерации (для 565 серии Т_рег.£2мсек.). В этом режиме достаточно подать сигнал  и адрес строки (А₀...А₇). Такой режим режим называют только (рис. 155). Сигнал =1, выход БИС в Z-состоянии.

Рис. 155

По эксплутационным возможностям динамические БИС ОЗУ превосходят статические. Современные БИС ОЗУ динамического типа имеют емкость до 64 мбит и выше с временем обращения менее 100 нсек.